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品展(a)新型D3d单层向已知D3h单层结构转变的势垒图。层吃过理论预测的新相期待实验合成的证实。此外，花饽不同类型的物相随层数变化时，对二次谐波信号的响应情况有所不同。

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背景介绍作为重要的二维半导体材料，层吃过硒化铟（InSe）具有高达1×103 cm2V-1s-1的室温电子迁移率，层吃过及超宽的光谱响应范围（从体相减薄至单层，带隙值可增加1.0eV）等特点，因而在电子和光电子器件，如场效应晶体管、光电探测和影像传感等领域有重要应用价值。

花饽(a)D3d单层和D3h单层结构的轨道投影能带图。山东手造相关阅读：行走的超级大平板。

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